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MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。


现行 标准还未对电涌保护器（浪涌保护器）的型号规格命名规则作硬性规定，所以各个生产厂家的产品的型号规格命名规则不尽相同。下面以一款 .LS生产厂家代号1设计序号CC级保护40额定通流能力40KA385额定电压385V3PN使用在3P+N电力系统还有2个重要参数未能在型号规格里面读出，一个是通流能力，另一个是放电残压。只能在产品的参数表上找了。电源浪涌保护器通常并联于电路之中，弱电及信号控制浪涌通常串联于电路之中。