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文章来源:13335093736 发布时间:2024-08-04 09:37:22
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不同于无源关量输出的行程关,绝大多数的接近关(少部分特殊型号的接近关可以直接输出无源关量信号,但受封装形式所限,其内部继电器触点容量有限,通常在1A左右)输出的是有源电位信号——高电平(接近于其工作电压);低电平(GND)。以电子线路为基础的接近关,是通过检测物体远近引起其内部电感量/电容量变化,来出相应输出的(感性接近关只能对金属被测对象出反应;容性接近关除能对金属对象出反应外,它还可以对非金属材料的固体、液体出反应)。


明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机,没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的,51具体结构如下图。组成推挽结构,从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流,提高带载能力,两个管子根据通断状态有四种不同的组合,上下管导通相当于把电源短路了,这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲,上管-下管关时IO与VCC直接相连,IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻,输出0就是漏状态(低阻态),因为I/O引脚是通过一个管子接地的,并不是使用导线直接连接,而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。